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Ai快訊 上證報中國證券網10月12日消息，記者劉禮文報道，工業X射線高端檢測裝備以及核心部件開放式X射線源（開管射線源）國產替代迎來重要進展。

日聯科技當日對外宣布，其科研團隊歷經8年持續攻關，經過上千次實驗測試，成功研發出國內首款開管射線源，并實現產業化應用。該開管射線源具備納米級分辨率，使我國在高端X射線源領域從技術追趕實現了與全球并跑的跨越式突破，在開放式射線源技術領域取得革命性成果。同時，公司搭載自研160kV開放式微聚焦X射線源的開管X - RAY智能檢測裝備已實現小批量出貨。

開管射線源具有焦點尺寸小、放大倍率高、成像效果好的特點，主要用于高精密工業檢測。納米級開管射線源可通過控制電子束，觀察芯片內部深層缺陷，是支撐半導體制造業向更小、更復雜、更集成方向發展的關鍵質控工具。

據日聯科技相關人士介紹，全球能獨立研發和生產高性能納米級開放式X射線源的公司屈指可數。日聯科技自2012年成立基礎研發團隊，通過上千次實驗和工藝調整，搭建了極其精密的電子光學系統。團隊掌握了基礎理論、關鍵材料、復雜制備工藝等技術，實現靶材鍍膜、焊接技術等全流程工藝可控，完成了國內首款開放式射線源技術的自主與創新突破。

目前，UNOS系列160kV開管射線源已形成標準化生產流程，可批量生產，這奠定了日聯科技在工業檢測行業的龍頭地位，使其在技術路線選擇和市場競爭中占據更主動的戰略地位。

以日聯開管X - RAY半導體智檢裝備AX9600為例，它顛覆了傳統裝備在第三代半導體缺陷識別精度與失效分析方面的瓶頸，能保證0.8μm級缺陷全捕捉、納米級成像及零缺陷質控全流程閉環。該設備采用日聯自研160kV開放式微聚焦X射線源，擁有超大幾何放大倍率和高清晰實時成像能力，可完成半導體產品爬錫高度、連錫、虛焊、漏焊、短路等封裝缺陷和空洞、裂紋等內部結構缺陷檢測。其強穿透能力搭配高放大倍率，可完成3D/系統級封裝、IC壓焊等工藝中多種類缺陷檢測，以及捕捉TGV和TSV工藝中微小對象的纖細細節。

此外，該設備還搭載自研160kV開放式微聚焦X射線源，能輕松穿透厚密材質，適用于檢測高密度集成電路和第三代半導體（SiC、GaN）的內部結構缺陷。最高可實現2000倍幾何放大倍率，結合微焦點X射線源，可實現最小0.8μm高精度檢測，清晰呈現比頭發絲細100倍的芯片內部結構，完成納米級缺陷分析。完整2.5D可實現360°全方位XY檢測，無死角解析隱藏在芯片底部的焊點空洞或互連橋接、斷裂等缺陷。

更值得一提的是，AX9600通過AI加持提升圖像質量，標配半導體自動檢測算法，單點0.8秒快速解析，檢測效率較傳統人工提升2000%。它可提供21:9超寬視域，全景視域覆蓋，可進行多窗口操作，實現跨尺度聯動，還能實現雙搖桿控制多動作操作，方便產品多角度觀測。

經過嚴苛的產業化驗證周期，AX9600已在多個尖端生產基地部署，其突破性的百納米級缺陷追溯能力大幅提升了先進封裝工藝的檢測精度，推動行業良率突破歷史性閾值。該設備成功扭轉了高端檢測裝備長期依賴進口的產業格局，帶動國產設備市占率實現跨越式提升。市場驗證顯示，該創新產品構建起第三代半導體檢測的新標準體系，并形成顯著的商業價值轉化。

隨著產品在集成電路和半導體領域的持續滲透，AX9600已展現出強勁的持續增長動能，推動日聯科技價值進階。目前，開管系列X射線檢測設備更多型號正在順利研發中，后續將陸續推出并實現產業化，相關設備家族將不斷壯大。同時，公司開管射線源系列更多型號也在順利研發中，將助力解決納米級高精度世界各類物理性缺陷和損傷。

（AI撰文，僅供參考）